第440章光刻机项目:另辟蹊径
沐阳研究更新后的阅读系统两个多小时才研究透,兴奋得睡不着。
喝了一杯茶,他想看看芯片制造技术的核心设备:光刻机。
目前市场上,有两种主流光刻机,一个是DUV光刻机,另一个是EUV光刻机。
DUV是深紫外线(DeepUltravioletLithography),EUV是极深紫外线(ExtremeUltravioletLithography)。
从制程范围来看,DUV基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,但是却无法达到10nm以下。
只有EUV能满足10nm以下的晶圆制造,并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
这个线宽其实就是跟光的线宽有关系,比如可见光的G线,那就是436nm,如果用来刻蚀,线路肯定很宽。
可以简单地认为,光刻机的光系统其实就是一支画笔,不同的光代表不同粗细大小的笔芯,越细的笔(光)能够画越细越复杂的画。
DUV就是彩笔,EUV就是中性笔,中性笔画的线条比较细,比较好用。
这么理解,也好理解光刻机到底如何刻蚀电路图了。
当前,国外品牌光刻机主要以荷蓝ASML,岛国Nikon和Canon三大品牌为主。
EUV的价格是1-3亿美金/台,DUV的价格为2000万-5000万美金/台不等。
目前先进的光刻系统就是EUV光刻机,如果沐阳打算走EUV光刻机路线,必然绕不开别人的技术专利保护范围。
因此,他只能寻找另外光种的光刻机,同时要考虑到光的分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等指标。
就说分辨率,如果制作出来的电路图模糊不清,那芯片肯定不好。
光刻机其它的指标,也可以比喻成画笔的性能就行了。
并不是说,沐阳不能搞光刻机了,只是说,再搞DUV和EUV光刻机,绕不开以上三家企业的技术专利保护范围。
所以,他只能另辟蹊径。
很久之前,沐阳就想到过电子束光刻机。
原本,再过几年,漂亮国的一个实验室研发出一套名为ZyvexLitho1的光刻系统,基于STM扫描隧道显微镜,使用的是EBL(E-BeamLithography)电子束光刻方式,制造出了0.7nm线宽的芯片,只是没法实现批量生产,或者成本高过。
沐阳相信,如果是技术成熟的电子束光刻机,线宽比0.7nm更小。
他在系统商店普通货架上默念搜索“电子束光刻机”,很快,搜索出几款相关技术。
沐阳选择适合自己公司的一款技术:
技术参数
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